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一、刻蚀工艺均匀性的技术挑战在半导体制造与精密微加工领域，等离子体刻蚀工艺的均匀性直接影响着器件性能与良率。作为刻蚀设备的核心能量
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摘要：本文系统探讨了物理气相沉积（PVD）工艺中高压电源参数对薄膜均匀性的影响机制，基于电磁场动力学与等离子体输运理论，提出多参数协
一、超高电压工况下的过压风险谱系450kV级高压电源在工业加速器、直流输电等场景中面临四类过压威胁：1 瞬态反射过压： 长距离电缆（&ge
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一、脉冲平顶特性的工程定义与挑战160kV级高压电源的脉冲平顶特性指输出电压在脉冲持续期内（典型值10μs-10ms）的稳定度，其技术指标包
一、静电击穿机理与失效模式在半导体晶圆加工中，E-Chuck系统需持续施加0 5-10kV偏置电压以产生静电吸附力，其高压电源面临三个层级的击穿
